當(dāng)前位置:深圳市中圖儀器股份有限公司>>半導(dǎo)體專業(yè)檢測(cè)設(shè)備>>晶圓形貌測(cè)量系統(tǒng)>> WD4000晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)
WD4000晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度,、表面粗糙度、三維形貌,、單層膜厚,、多層膜厚。
1,、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness,、TTV、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI等參數(shù),,同時(shí)生成Mapping圖;
2、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù),;
3,、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能,;
4,、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),,可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度,。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,包括碳化硅,、藍(lán)寶石,、氮化鎵、硅等,。
WD4000晶圓厚度測(cè)量系統(tǒng)通過非接觸測(cè)量,,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,,TTV,,BOW、WARP,、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷,。可廣泛應(yīng)用于襯底制造,、晶圓制造,、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件,、光學(xué)加工,、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè),??蓽y(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,,從納米到微米級(jí)別工件的厚度,、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓,、曲率等,,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1,、非接觸厚度、三維維納形貌一體測(cè)量
集成厚度測(cè)量模組和三維形貌,、粗糙度測(cè)量模組,,使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度、TTV,、LTV,、BOW、WARP,、粗糙度,、及三維形貌的測(cè)量。
2,、高精度厚度測(cè)量技術(shù)
(1)采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)Wafer進(jìn)行高效掃描,。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸,。
(3)采用Mapping跟隨技術(shù),,可編程包含多點(diǎn)、線,、面的自動(dòng)測(cè)量,。
3、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)
(1)采用光學(xué)白光干涉技術(shù),、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,,Z向分辨率高可到0.1nm;
(2)隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲,,獲得高測(cè)量重復(fù)性,。
(3)機(jī)器視覺技術(shù)檢測(cè)圖像Mark點(diǎn),虛擬夾具擺正樣品,,可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量,。
4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺(tái)
(1)大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),,移動(dòng)速度500mm/s,。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,、可靠,。
(3)關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引,、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng),搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),,保證設(shè)備的高精度,、高效率。
5,、操作簡(jiǎn)單,、輕松無憂
(1)集成XYZ三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺(tái)平移,、Z向聚焦等測(cè)量前準(zhǔn)工作,。
(2)具備雙重防撞設(shè)計(jì),避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況,。
(3)具備電動(dòng)物鏡切換功能,,讓觀察變得快速和簡(jiǎn)單。
應(yīng)用場(chǎng)景
1,、無圖晶圓厚度,、翹曲度的測(cè)量
通過非接觸測(cè)量,,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,、粗糙度,、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性,。
2,、無圖晶圓粗糙度測(cè)量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,,測(cè)量穩(wěn)定性良好,。
懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,,恕不另行通知,,不便之處敬請(qǐng)諒解。
部分技術(shù)規(guī)格
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號(hào) | WD4000 |
厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng) | |
可測(cè)材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測(cè)量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃,、米字,、自由多點(diǎn) |
測(cè)量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化),、LTV,、BOW,、WARP、平面度,、線粗糙度 |
三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X,、5X、20X,、50X,可選多個(gè)) |
可測(cè)樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測(cè)量參數(shù) | 顯微形貌 ,、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測(cè)量系統(tǒng) | |
測(cè)量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測(cè)厚度 | 0.4um |
紅外干涉測(cè)量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測(cè)量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4",、6",、8"、12" |
晶圓載臺(tái) | 防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái) |
X/Y/Z工作臺(tái)行程 | 400mm/400mm/75mm |
如有疑問或需要更多詳細(xì)信息,,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢,。